[发明专利]半导电性釉、该釉的制造方法和使用该釉的绝缘子有效
| 申请号： | 03160287.8 | 申请日： | 2003-09-13 |
| 公开（公告）号： | CN1495806A | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 今井修;村濑胜 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01B17/50 | 分类号： | H01B17/50;C04B35/00 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 钟守期;庞立志 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供不使其它釉特性降低，热膨胀率低，通过施用在绝缘子上，可以得到高机械强度的半导电性釉、该釉的制造方法和施用了该釉的绝缘子。相对于100wt％釉组合物，添加10wt％以下的熔剂，所述釉组合物包括KNaO－MgO－CaO－Al2O3－SiO2系基釉和含氧化锡、氧化锑的金属氧化物，所述基釉由塞格尔釉式表示，含有碱性成分为KNaO：0.1～0.4、MgO：0.2～0.6、CaO：余量。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性 制造 方法 使用 绝缘子 | ||
【主权项】：
1.半导电性釉，其特征在于，相对于100wt％釉组合物，添加10wt％以下的熔剂而成，所述釉组合物包括KNaO-MgO-CaO-Al2O3-SiO2系基釉和含氧化锡、氧化锑的金属氧化物，所述基釉由塞格尔釉式表示，其碱性成分含KNaO：0.1～0.4、MgO：0.2～0.6、CaO：余量。
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