[发明专利]从无电镀膜溶液中去除胺硼烷复合物的方法无效
| 申请号： | 03160359.9 | 申请日： | 2003-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN1497063A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 王清民;J·扬巴瓦拉 | 申请（专利权）人： | 波克股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C18/16 | 分类号： | C23C18/16 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所 | 代理人： | 谢喜堂 |
| 地址： | 美国新*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于分离并环境友好地处理胺硼烷复合物的方法，包括吸附胺硼烷复合物到载体上，当场在吸附剂上用氧化剂处理所吸附的胺硼烷复合物形成分解产物而不生成氢气，收集分解产物以将其处理。 | ||
| 搜索关键词： | 镀膜 溶液 去除 胺硼烷 复合物 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于从镀液分离胺硼烷复合物的方法，其特征在于，它包括：(a)把含有胺硼烷复合物的镀液输送通过一吸附剂床，(b)在吸附剂床上吸附胺硼烷复合物，(c)输送包括氧化剂的第二溶液通过吸附剂床，在其中胺硼烷复合物被氧化，形成分解产物，(d)从吸附剂床洗脱包含分解产物的液体，及(e)收集被洗脱的胺硼烷分解产物。
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C23 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
C23C18-02 .热分解法
C23C18-14 .辐射分解法，例如光分解、粒子辐射
C23C18-16 .还原法或置换法，例如无电流镀
C23C18-54 .接触镀，即无电流化学镀
C23C18-18 ..待镀材料的预处理
C23C 对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C18-00 通过液态化合物分解抑或覆层形成化合物溶液分解、且覆层中不留存表面材料反应产物的化学镀覆
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