[发明专利]照射激光的方法、激光照射系统和半导体器件的制造方法有效

专利信息
申请号: 03164828.2 申请日: 2003-09-30
公开(公告)号: CN1497684A 公开(公告)日: 2004-05-19
发明(设计)人: 山崎舜平;田中幸一郎 申请(专利权)人: 株式会社半导体能源研究所
主分类号: H01L21/324 分类号: H01L21/324;B23K26/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 代理人: 程天正;梁永
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 在半导体器件的制造工艺中,当CW激光器的谐波照射到半导体膜上并相对扫描该谐波时,形成几个沿扫描方向延伸的长晶粒。在该扫描方向上,这样形成的半导体膜在特性上基本接近单晶体。然而,CW激光器的谐波的输出小,从而造成了低的退火效率。在本发明中,通过将CW激光器的二次谐波和CW激光器的基波同时照射到相同的部分来执行对输出的辅助。通常,所述基波具有1μm左右的波长带,并且在半导体膜中吸收得不是很好。当将具有可见光波长的波成或者具有短于可见光的波长的谐波与基波同时照射到半导体膜上时,由于所述基波在由谐波融化的半导体膜中吸收得很好,所以退火效率就显著地得到提高。
搜索关键词: 照射 激光 方法 系统 半导体器件 制造
【主权项】:
1.一种激光照射系统,包含:第一激光振荡器,用于输出具有可见光的波长或者具有短于可见光的波长短的第一激光束;装置,用来在被照表面或它的附近将第一激光振荡器发射的第一激光束处理成长光束;第二激光振荡器,用于输出基波的第二激光束;装置,用来将第二激光振荡器发射的第二激光束照射到所述被照表面的一个区域;装置,用来使所述被照表面在第一方向上向第一和第二激光束相对移动;和装置,用来使所述被照表面在第二方向上向第一和第二激光束相对移动,其中,将所述长光束照射到该区域上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社半导体能源研究所,未经株式会社半导体能源研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03164828.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code