[发明专利]用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法有效
| 申请号： | 03164983.1 | 申请日： | 2003-09-16 |
| 公开（公告）号： | CN1501437A | 公开（公告）日： | 2004-06-02 |
| 发明（设计）人： | 金县裁;姜淑映;姜明求 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/336;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明公开了一种用于多晶化的掩模和用其制造薄膜晶体管的方法。在根据本发明的薄膜晶体管的制造方法中，首先在绝缘衬底上形成非晶硅薄膜并在其上形成平整层。其后，通过使用激光照射的固化工艺晶化非晶硅薄膜以形成多晶硅薄膜。接着，构图多晶硅薄膜和平整层以形成半导体层，并且形成覆盖半导体层的栅极绝缘层。接着，在与半导体层相对的栅极绝缘层上形成栅极电极。接着，把杂质注入到半导体层中形成相对于栅极电极彼此相对的源极区和漏极区，并且形成分别电连接到源极区和漏极区的源极电极和漏极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 多晶 制造 薄膜晶体管 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于把非晶硅转化为多晶硅的激光照射用多晶化掩模，该掩模包括：多个第一透光区，具有第一透光度；多个第二透光区，具有与第一透光度不同的第二透光度；以及不透光区，其中第一和第二透光区有具有宽度和长度的狭缝形状。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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