[发明专利]具有多层垂直结构的高容量电容器无效
申请号: | 03164984.X | 申请日: | 2003-08-12 |
公开(公告)号: | CN1501498A | 公开(公告)日: | 2004-06-02 |
发明(设计)人: | 金勋泰;赵启钰 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01G4/005;H01G4/08;H01G4/33 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明公开了一种用于RF电路高容量电容器,其具有多层垂直结构。该电容器包括上电极、下电极和设置在上电极与下电极之间的介电层。多个电极沿着倾斜方向平行地形成在介电层中。作为该多个电极的一半的第一电极仅连接到上电极。作为该多个电极的另一半的第二电极仅连接到下电极。第一电极和第二电极沿着行和列的方向交替设置。该电容器不需要附加工艺,由此减少了其制造的复杂性和成本。 | ||
搜索关键词: | 具有 多层 垂直 结构 容量 电容器 | ||
【主权项】:
1.一种电容器,用于RF电路,其包括上电极、下电极和设置在上电极与下电极之间的介电层,其中多个电极沿着倾斜方向平行地形成在介电层中,作为该多个电极的一半的第一电极仅连接到上电极,作为该多个电极的另一半的第二电极仅连接到下电极,第一电极和第二电极在行和列中交替设置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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