[发明专利]制造半导体器件的方法、用于该方法的粘附薄片和半导体器件无效

专利信息
申请号: 03178459.3 申请日: 2003-07-16
公开(公告)号: CN1476066A 公开(公告)日: 2004-02-18
发明(设计)人: 细川和人;桶结卓司;藤井弘文;山本康彦 申请(专利权)人: 日东电工株式会社
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/60
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 王玮
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 一种制造半导体器件的方法,包括步骤:(1)在粘附薄片上的粘附层部分上形成多个导电部分,所述粘附层包括基层和粘附层;(2)把具有电极的至少一个半导体元件附加到粘附层,其中半导体元件的无电极边附加到粘附层;(3)在每个导电部分和半导体元件的每个电极之间电连接导线;(4)把半导体元件密封到密封树脂中以在粘附薄片上形成半导体器件;和(5)将粘附薄片从半导体器件脱离。此方法使表面安装型薄半导体器件的生产成为可能。
搜索关键词: 制造 半导体器件 方法 用于 粘附 薄片
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,包括步骤:(1)在粘附薄片上的粘附层的部分上形成多个导电部分,所述粘附层包括基层和粘附层;(2)把具有电极的至少一个半导体元件附加到粘附层,其中半导体元件的无电极边附加到粘附层;(3)在每个导电部分和半导体元件的每个电极之间电连接导线;(4)把半导体元件密封到密封树脂中以在粘附薄片上形成半导体器件;和(5)将粘附薄片从半导体器件上脱离。
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