[发明专利]半导体器件的制造方法无效
申请号: | 03178460.7 | 申请日: | 2003-07-16 |
公开(公告)号: | CN1476061A | 公开(公告)日: | 2004-02-18 |
发明(设计)人: | 庭山雅彦;米田健司 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 汪惠民 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的,是提供一种为取得快速热成法(RTP)温度控制性的提高,又可廉价降低晶片表面内的温度偏差的半导体装置的制造方法。其解决的方法是,在半导体衬底上照射灯光进行加热的工序中,在半导体衬底中事先设置好吸收所照射的灯光的自由载流子吸收层。由此,快速热成法(RTP)温度控制性就可以提高,还不只低温区域,工序温度区域的衬底温度的偏差也可以廉价地降低,要求热处理的高精度要求半导体装置的特性在不被降低就可以进行制造。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种半导体器件的制造方法,其特征为:包括:半导体衬底内的至少一部分形成含有杂质的,且吸收红外线的半导体层的工序(a);通过红外线照射上述半导体衬底,在所定的工序温度下对上述半导体衬底进行热处理的工序(b)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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