[发明专利]半导体存储器件及其控制方法有效
| 申请号： | 03178499.2 | 申请日： | 2001-08-09 |
| 公开（公告）号： | CN1519859A | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 藤冈伸也;川久保智广;西村幸一;佐藤光德 | 申请（专利权）人： | 富士通株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/401 | 分类号： | G11C11/401;G11C11/406 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 自更新控制电路以预定循环自动更新存储单元。内电压发生器一接收到外部电源电压就产生要被供应到预定内电路的内电压。当接收外部的控制信号时，半导体存储器件阻止激活自更新控制电路并降低内电压发生器的供应能力，从而进入到低功率消耗方式中。当在低功率消耗方式中不需要保留存储单元的数据时。由于未执行更新，内电压发生器可以以足以补偿内电路消耗的电功率的功率进行操作。结果，可减小功率消耗方式中的功率消耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种包括动态存储单元的动态随机存取存储器的控制方法，该存储器具有低功率消耗方式和空闲方式，在低功率消耗方式中，动态存储单元通过阻止更新操作来不保留其中的数据，该方法包括步骤：进入空闲方式；响应包括空闲方式期间的多个控制信号的组合的外部命令而进入低功率消耗方式。
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