[发明专利]多级半导体结构中对准带帽金属线和互连的形成有效
| 申请号： | 03178621.9 | 申请日： | 2003-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN1507047A | 公开（公告）日： | 2004-06-23 |
| 发明（设计）人： | S·R·彻拉斯;M·W·莱恩;S·G·玛尔霍特拉;F·R·麦克菲利;R·罗森博格;C·J·萨姆巴塞迪;P·M·怀瑞根 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/532 | 分类号： | H01L23/532;H01L21/768;H01L21/3205;H01L21/31 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 蔡胜有 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 在集成电路技术中，提供了例如铜的金属的电迁移和扩散敏感导体及其加工程序，其中在平整化的化学机械加工的界面处，在可选择的低Keff介质材料的用一种材料围绕的区中定位该导体金属。选择所述一种材料以便防止外扩散并且作为膜形成厚度帽的源，该膜形成厚度帽将形成在导体金属上和/或起到催化层的作用，用于CoWP成帽层的化学选择淀积。 | ||
| 搜索关键词： | 多级 半导体 结构 对准 金属线 互连 形成 | ||
【主权项】：
1.一种电迁移和扩散敏感金属的集成电路导电元件，该元件由保护帽覆盖，并且定位在介质的平整表面中的沟槽中，在所述沟槽中，由抗该电迁移和扩散敏感金属的外扩散的、并且作为所述帽材料的扩散源的材料构成的衬垫环绕所述导电元件的金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际商业机器公司，未经国际商业机器公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03178621.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
