[发明专利]磁记录头及磁记录再现装置无效
| 申请号： | 03178645.6 | 申请日： | 2003-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN1503228A | 公开（公告）日： | 2004-06-09 |
| 发明（设计）人： | 中本一广;星屋裕之;石川千明 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所 |
| 主分类号： | G11B5/39 | 分类号： | G11B5/39 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李德山 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 对于100nm级以下的窄轨道宽度，通过减小侧面读取，可提供制作容易且灵敏度高的磁记录头，从而可提供高记录密度的磁记录再现装置。所述磁头具有上部屏蔽层31、下部屏蔽层32、配置在其间的磁电阻效应膜10、电耦合在磁电阻效应膜10上的一对电极31、32。在磁电阻效应膜10的两侧面，形成由上部屏蔽层31的一部分构成的一对侧面屏蔽层，并使侧面屏蔽层与磁电阻效应膜10之间的间隔形成为比上部屏蔽层31与下部屏蔽层32之间的间隔的2倍窄。由此，可使侧面读取量小于由上下屏蔽间隔和磁头－媒体间的磁隙决定的现有值。 | ||
| 搜索关键词： | 记录 再现 装置 | ||
【主权项】：
1、一种磁头，其特征在于所述磁头包括：以预定间隔形成的一对上部和下部磁屏蔽层；在该一对上下磁屏蔽层之间，与所述上下磁屏蔽层间隔预定距离而形成的磁电阻效应膜；和电耦合在该磁电阻效应膜上的一对电极，其中在所述磁电阻效应膜在轨道宽度方向上的两侧面上，形成一对侧面磁屏蔽层，设定所述侧面磁屏蔽层与所述磁电阻效应膜在轨道宽度方向上的端部之间的间隔，以使所述磁电阻效应膜产生的再现元件的侧面读取小于由所述屏蔽间隔与磁隙规定的值。
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