[发明专利]降低存储单元数据误读出率的非易失半导体存储装置

摘要

本发明的半导体存储装置中，当判别存储单元的H、L电平的结点N3的电压在阈值电压以下的范围时，作为向存储单元提供电流的电流源而动作的晶体管Tr1在饱和区工作。

主权项

1、一种非易失性半导体存储装置，包括：多个存储单元；数据线，在数据读出时与所述多个存储单元中选择的一个单元电气连接；读出放大电路，在所述数据读出时检测所述数据线的电流，所述读出放大电路包括在所述数据读出时向所述数据线提供电流的第1电流源，所述第1电流源具有在所述数据读出时与所述数据线连接的第1内部结点和电气连接到所述第1内部结点与电源电压之间的第1晶体管，所述读出放大电路还包括在所述数据读出时比较所述第1内部结点的电压和第1阈值电压的第1转换电路；所述非易失性半导体存储装置还包括设定所述第1晶体管的栅极电压的第1电压设定电路，以使所述第1内部结点的电压在所述第1阈值电压以下的范围时，所述第1晶体管在饱和区工作。