[发明专利]固体摄像装置及其制造方法有效
申请号: | 03178785.1 | 申请日: | 2003-07-23 |
公开(公告)号: | CN1476101A | 公开(公告)日: | 2004-02-18 |
发明(设计)人: | 山田彻 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 黄剑锋 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供可以充分减少从垂直电荷传送部向水平电荷传送部的信号电荷的传送剩余的固体摄像装置及其制造方法。在具备有多个垂直电荷传送部以及与上述垂直电荷传送部的至少一端所连接的水平电荷传送部的固体摄像装置中,使构成上述垂直电荷传送部的第1导电型垂直传送沟道区域、第2导电型器件隔离区域以及第2导电型垂直势阱区域延伸到上述垂直电荷传送部和水平电荷传送部之间的连接部,该延伸出的区域的水平电荷传送部一侧的端部与最终垂直传送电极的水平电荷传送部一侧的端部相比更加位于水平电荷传送部一侧,并且进行调整使之从第2导电型器件隔离区域的水平电荷传送部一侧的端部位于1.5μm之内。 | ||
搜索关键词: | 固体 摄像 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
1.一种固体摄像装置,其特征为:具备多个垂直电荷传送部以及水平电荷传送部,该水平电荷传送部与上述垂直电荷传送部的至少一端连接,接受从上述垂直电荷传送部传送的电荷并对其进行传送,上述垂直电荷传送部具备第1导电型垂直传送沟道区域、与上述第1导电型垂直传送沟道区域相邻而形成的第2导电型器件隔离区域、在上述第1导电型垂直传送沟道区域上形成的多个垂直传送电极和最终垂直传送电极、以及在上述第1导电型垂直传送沟道区域之下形成的第2导电型垂直势阱区域,上述水平电荷传送部具备第1导电型水平传送沟道区域、在上述第1导电型水平传送沟道区域上形成的多个水平传送电极、以及在上述第1导电型水平传送沟道区域之下形成的第2导电型水平势阱区域,在上述垂直电荷传送部和上述水平电荷传送部之间的连接部上,上述第1导电型垂直传送沟道区域、上述第2导电型器件隔离区域及上述第2导电型垂直势阱区域从上述垂直电荷传送部延伸出,上述水平传送电极的一部分重叠在该第1导电型垂直传送沟道区域的上述连接部延伸出的部分上,在上述第1导电型垂直传送沟道区域及上述第2导电型垂直势阱区域的上述连接部延伸出的部分的上述水平电极传送部一侧的端部,与上述最终垂直传送电极的上述水平电荷传送部一侧的端部相比更加位于上述水平电荷传送部一侧,并且位于距离上述第2导电型器件隔离区域的上述水平电荷传送部一侧的端部1.5μm之内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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