[实用新型]可快速散热的功率半导体元件无效
| 申请号： | 03200500.8 | 申请日： | 2003-01-07 |
| 公开（公告）号： | CN2603511Y | 公开（公告）日： | 2004-02-11 |
| 发明（设计）人： | 杨惠强 | 申请（专利权）人： | 尼克森微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/34 | 分类号： | H01L23/34 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑玉洁 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种可快速散热的功率半导体元件，该半导体元件设有栅极接点、漏极电子流接点及源极电子流接点，并且藉由栅极接点、漏极电子流接点及源极电子流接点焊接在印刷电路板上。其中，在功率半导体元件上形成有一导线架，并且该导线架暴露在空气中；当功率半导体元件动作产生高温时，可藉由导线架直接将功率半导体元件的热气释放，达到快速散热的效果。 | ||
| 搜索关键词： | 快速 散热 功率 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种可快速散热的功率半导体元件，该功率半导体元件具有栅极接点、漏极电子流接点和源极电子流接点，其特征在于：在所述功率半导体元件的上方形成有一用于散发功率半导体元件在动作时产生的热量的导线架，该导线架直接暴露在空气中。
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