[实用新型]制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具无效
申请号: | 03201339.6 | 申请日: | 2003-01-24 |
公开(公告)号: | CN2641821Y | 公开(公告)日: | 2004-09-15 |
发明(设计)人: | 林辉巨 | 申请(专利权)人: | 统宝光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;H01L21/203 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周长兴 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具,是由分别独立的一化学气相沉积腔体、一物理气相沉积腔体、至少一加载互锁真空腔体以及连接上述各腔体的一转移腔体结合而成,其配置由转移腔体连接各个腔体与加载互锁真空腔体,当基板进入加载互锁真空腔体中后,会经由转移腔体进入化学气相沉积腔体,以进行沉积制程,待缓冲层沉积完毕后,基板会再由转移腔体进入物理气相沉积腔体进行沉积制程,以形成非晶硅薄膜,再经由转移腔体输送至加载互锁真空腔体中,以备移出整个组合设备工具,以进行后续制程。 | ||
搜索关键词: | 制造 低温 多晶 晶体管 组合 设备 工具 | ||
【主权项】:
1、一种制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具,其特征在于,包括:一转移腔体,用以转移该基板;至少一加载互锁真空腔体,连接该转移腔体,用以输入/输出该基板;一化学气相沉积腔体,连接该转移腔体,用以于该基板上沉积一缓冲层;以及一物理气相沉积腔体,连接该转移腔体,用以于该基板上沉积一非晶硅薄膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造