[实用新型]薄膜晶体管阵列的半成品结构无效
| 申请号： | 03202118.6 | 申请日： | 2003-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN2600837Y | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 洪孟逸 | 申请（专利权）人： | 广辉电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G02F1/136 | 分类号： | G02F1/136;H01L29/786 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡洪贵 |
| 地址： | 中国*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种薄膜晶体管阵列的半成品结构，适于形成在具有至少一预定显示区的一基板上。该半成品结构包括：一第一图案化导体层，配置于该基板上，该第一图案化导体层的分布范围超出该预定显示区；一介电层，覆盖部分该第一图案化导体层，且暴露该预定显示区以外的部分该第一图案化导体层；一第二图案化导体层，配置于该介电层上，该第二图案化导体层与暴露出来的该第一图案化导体层电性连接。根据本实用新型的薄膜晶体管阵列的半成品结构可以避免静电破坏的发生。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 半成品 结构 | ||
【主权项】：
1、一种薄膜晶体管阵列的半成品结构，适于形成在具有至少一预定显示区的一基板上，其特征在于，该半成品结构包括：一第一图案化导体层，配置于该基板上，该第一图案化导体层的分布范围超出该预定显示区；一介电层，覆盖部分该第一图案化导体层，且暴露该预定显示区以外的部分该第一图案化导体层；一第二图案化导体层，配置于该介电层上，该第二图案化导体层与暴露出来的该第一图案化导体层电性连接。
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