[实用新型]MOS功率管的栅极保护装置无效
| 申请号： | 03209916.9 | 申请日： | 2003-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN2653696Y | 公开（公告）日： | 2004-11-03 |
| 发明（设计）人： | 徐志平;程东方;沈伟星;张珺 | 申请（专利权）人： | 上海大学 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海上大专利事务所 | 代理人： | 何文欣 |
| 地址： | 200072*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种MOS功率管的栅极保护装置，它制作在MOS功率管的终端区硅单晶衬底上，其特征在于电路结构是：在MOS功率管的栅极(G)与源极(S)之间和栅极(G)与漏极(D)之间，分别各连接一对取向相反的PN结二极管。本实用新型无论栅—源间或栅—漏间存在或正或反的电压，都能确保栅极抗静电保护能力。 | ||
| 搜索关键词： | mos 功率管 栅极 保护装置 | ||
【主权项】：
1.一种MOS功率管的栅极保护装置，制作在MOS功率管的终端区硅单晶衬底上，其特征在于电路结构是：在MOS功率管的栅极(G)与源极(S)之间和栅极(G)与漏极(D)之间，分别各连接一对取向相反的PN结二极管。
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