[实用新型]平面离子源增强沉积镀膜机无效
| 申请号： | 03211547.4 | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN2690417Y | 公开（公告）日： | 2005-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李国卿;关秉羽;李剑锋 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 大连八方专利事务所 | 代理人： | 卫茂才 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 平面离子源增强沉积镀膜机属于等离子体表面物理气相沉积技术领域。平面离子源增强沉积镀膜机包括真空系统、加热系统、偏压系统、供气系统、工件传动机构以及平面离子源和磁控溅射、多弧等金属溅射蒸发源。平面离子源是由内阳极、狭缝阴极、磁场、阴极屏蔽和气路组成。在一定的真空条件下，产生带有一定能量的气体离子、清洗工件表面，与金属蒸发源产生的金属离子反应，在工件表面沉积高结合力的薄膜。主要用于工模具、装饰镀膜和功能薄膜等领域，尤其适用于大面积的平面形状工件表面镀膜。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 离子源 增强 沉积 镀膜 | ||
【主权项】：
1、平面离子源增强沉积镀膜机，包括真空系统、工件传动装置(12)和蒸发源，其特征在于，还包括平面离子源(8)和平面离子源进气管(5)，平面离子源进气管(5)与真空室(11)连接，工件传动装置(12)安装在真空室(11)内，蒸发源和平面离子源(8)同时安装在真空室(11)壁上。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于大连理工大学，未经大连理工大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03211547.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：铁饼竞赛用越界报警装置
- 下一篇：箱式固体物料发酵设备
- 同类专利
- 专利分类
