[实用新型]等离子体源增强沉积设备无效
| 申请号： | 03211548.2 | 申请日： | 2003-02-20 |
| 公开（公告）号： | CN2632095Y | 公开（公告）日： | 2004-08-11 |
| 发明（设计）人： | 李国卿;关秉羽;李剑锋;牟宗信 | 申请（专利权）人： | 大连理工大学 |
| 主分类号： | C23C14/32 | 分类号： | C23C14/32 |
| 代理公司： | 大连八方专利事务所 | 代理人： | 卫茂才 |
| 地址： | 116024辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | 等离子体源增强沉积设备属于等离子体表面物理气相沉积技术领域。等离子体源增强沉积设备由真空系统、加热系统、偏压电源、供气系统、工件传动系统以及等离子体源与真空弧、磁控溅射组成，由等离子体源提供气体离化的等离子体，在偏压作用下，载能离子清洗、活化和强化材料表面，并与真空弧、磁控溅射产生的金属离子合成薄膜，实现等离子体源强化－镀膜一体化技术。本实用新型设备设计适合工业应用的等离子体源，利于产业化技术。应用于机械，信息，建筑装璜等领域。尤其适用于深层强化和表面处理的工模具。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 增强 沉积 设备 | ||
【主权项】：
1、等离子体源增强沉积设备，包括真空系统、加热器(18)、偏压电源(12)、真空室进气管(17)、工件传动装置和蒸发源，其特征在于，还包括等离子体源(14)和等离子体源进气管(3)，加热器(18)固定在真空系统中的真空室(9)内，偏压电源(12)的正极接真空室(9)，偏压电源(12)的负极接工件(13)，真空室进气管(17)、等离子体源进气管(3)与真空室(9)连接，工件传动装置安装在真空室(9)内，蒸发源和等离子体源(14)同时安装在真空室(9)壁上。
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