[实用新型]大内存合成反应器无效

专利信息
申请号: 03222610.1 申请日: 2003-06-06
公开(公告)号: CN2601127Y 公开(公告)日: 2004-01-28
发明(设计)人: 陈信生;李泰;迟立波;柳巨浪;高申宝;高文忠 申请(专利权)人: 安徽皖维高新材料股份有限公司;陈信生
主分类号: B01J8/24 分类号: B01J8/24
代理公司: 安徽省合肥新安专利代理有限责任公司 代理人: 何梅生
地址: 2380*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 大内存合成反应器,自底部气体入口至顶部出口,依次为下锥体、多层气体分布板、触媒床层和顶部扩大体,其特征是在下锥体中,设置由上、下部两只锥形体对接的分配器,预分配器的上、下锥体顶点处开设气流通孔,在多层气体分布板中,最下部两层每层都采用不同孔径、不同开孔率的气体分布板,在触媒床层中填充有触媒,顶部扩大体为中空大腔体。本实用新型是一种Cat内存量可达110m3、空速高、分布板阻力小、气体分布均匀、流化状态好、反应质量高、触媒消耗少、振动小的沸腾床反应器。
搜索关键词: 内存 合成 反应器
【主权项】:
1、大内存合成反应器,自底部气体入口至顶部出口,依次为下锥体(1)、多层气体分布板(3)、触媒床层(4)和顶部扩大体(5),其特征是在所述下锥体(1)中,设置由上、下部两只锥形体对接的予分配器(2),予分配器(2)的上、下锥体顶点处开设气流通孔(6),在所述的多层气体分布板(3)中,最下部两层每层都采用不同孔径、不同开孔率的气体分布板,在所述触媒床层(4)中填充有触媒,顶部扩大体(5)为中空大腔体。
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