[实用新型]化合物半导体磁阻式光电传感器无效
| 申请号： | 03222840.6 | 申请日： | 2003-01-09 |
| 公开（公告）号： | CN2597948Y | 公开（公告）日： | 2004-01-07 |
| 发明（设计）人： | 黄钊洪 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | G01D5/26 | 分类号： | G01D5/26;H01L49/00 |
| 代理公司： | 广州粤高专利代理有限公司 | 代理人： | 杨晓松 |
| 地址： | 510630*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种化合物半导体磁阻式光电传感器，包括化合物半导体磁阻芯片、半导体发光二极管、永磁体、基片，其相互连接关系为：化合物半导体磁阻芯片固定在基片上，基片与永磁体固定连接，半导体发光二极管设置于化合物半导体及其基片的上方。本化合物半导体磁阻式光电传感器具有体积小、重量轻、结构牢固紧凑、使用寿命长的优点，而且制造容易、加工方便，生产成本较低，适合于大规模地推广使用，可适用于自动控制、数码传输、光电隔离等现代测量与控制领域，应用前景较广。 | ||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 磁阻 光电 传感器 | ||
【主权项】：
1、一种化合物半导体磁阻式光电传感器，其特征在于：包括化合物半导体磁阻芯片、半导体发光二极管、永磁体、基片，其相互连接关系为：化合物半导体磁阻芯片固定在基片上，基片与永磁体固定连接，半导体发光二极管设置于化合物半导体及其基片的上方。
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