[实用新型]一种卡形半导体存储器无效
| 申请号： | 03223765.0 | 申请日： | 2003-02-22 |
| 公开（公告）号： | CN2613887Y | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 鲍刚;韩滔 | 申请（专利权）人： | 鲍刚;韩滔 |
| 主分类号： | H01L27/00 | 分类号： | H01L27/00 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 518031广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种卡形半导体存储器，其特征在于，由半导体存储芯片及其标准读写电路独立封装而成。所述半导体存储芯片是一种非易失性半导体，如可以采用快闪存储器(Flash Memory)等。所述卡形半导体存储器可以采用单块芯片，也可以采用芯片阵列技术，由多块芯片所集成。本实用新型的卡形半导体存储器，存储容量大，兼容性强，体积小巧，携带方便。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种卡形半导体存储器，其特征在于，由半导体存储芯片及其标准读写电路独立封装而成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
