[实用新型]低电压半导体过压保护器件无效
| 申请号： | 03225865.8 | 申请日： | 2003-04-30 |
| 公开（公告）号： | CN2631041Y | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 乔长华 | 申请（专利权）人： | 深圳市新达微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 | 代理人： | 胡坚 |
| 地址： | 518000广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种低电压半导体过压保护器件，涉及半导体电压保护器件PN结扩散区结构。本技术所述半导体过压保护器件，包括N－型衬底，正面P+扩散区，背面P+扩散区，正面N+扩散区及背面N+扩散区；本技术特点在于，所述衬底正面N+扩散区包括设于正面P+扩散区内的N+1扩散区及设于正面P+扩散区边的N+2扩散区。本技术结构简单，制作容易，生产成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 电压 半导体 保护 器件 | ||
【主权项】：
1、一种低电压半导体过压保护器件，包括N-型衬底，正面P+扩散区，背面P+扩散区、正面N+扩散区及背面N+扩散区；其特征在于，所述衬底正面N+扩散区包括设于正面P+扩散区内的N+1扩散区及设于正面P+扩散区边的N+2扩散区。
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