[实用新型]一种肖特基二极管的原型器件无效
| 申请号： | 03229806.4 | 申请日： | 2003-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN2615867Y | 公开（公告）日： | 2004-05-12 |
| 发明（设计）人： | 叶志镇;袁国栋;黄靖云;赵炳辉 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 韩介梅 |
| 地址： | 310027浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型的肖特基二极管原型器件是在衬底上自下而上依次沉积欧姆接触电极层、n－ZnO膜外延层、Si3N4层和肖特基金属电极层而构成。用该原型器件制作的肖特基二极管，其反向特性较传统结构有明显提高，同时具有正向压降小，反向漏电流小，反向击穿电压大，高温稳定性好等优点。适合在高温，强辐射环境下工作，可广泛应用于微波混频，检波及高速开关电路等领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 原型 器件 | ||
【主权项】：
1.一种肖特基二极管的原型器件，其特征是在衬底(1)上自下而上依次具有欧姆接触电极层(2)、n-ZnO膜外延层(3)、Si3N4层(4)和肖特基金属电极层(5)。
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