[实用新型]一种高频段微波二极管无效
| 申请号： | 03230256.8 | 申请日： | 2003-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN2610496Y | 公开（公告）日： | 2004-04-07 |
| 发明（设计）人： | 刘宏;刘晓晗;刘明 | 申请（专利权）人： | 上海鸿宇纳米科技发展有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海世贸专利代理有限责任公司 | 代理人： | 严新德 |
| 地址： | 200126上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种高频段微波二极管，以P+P(或N+N)型单晶硅为基底，在所述基底上沉积富氢微晶硅薄膜与单晶硅形成异质结，通过调节富氢微晶硅薄膜的各项参数，可以得到在较高工作温度下正常工作的高频段微波二极管，并且其响应速度快、制作工艺简单、成本低廉。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 频段 微波 二极管 | ||
【主权项】：
1、一种高频段微波二极管，由衬底层、PN结、封装外壳、引脚组成，所述的引脚设置在所述PN结两侧，所述的PN结设置在所述衬底层上方，所述的衬底层设置在封装外壳内部，其特征在于：所述的PN结是异质结，所述的异质结由富氢微晶硅薄膜层与外延层组成，所述的富氢微晶硅薄膜层设置在所述外延层上方，所述的外延层是单晶硅层，所述富氢微晶硅薄膜层中氢含量至少为5×1020原子/cm3。
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