[实用新型]高反射镜连续磁控溅射镀膜生产设备无效
| 申请号： | 03232794.3 | 申请日： | 2003-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN2594278Y | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 王寿设 | 申请（专利权）人： | 甘国工 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 成都立信专利事务所有限公司 | 代理人： | 江晓萍 |
| 地址： | 610100 四川省成都市龙泉驿区成都经*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种高反射镜连续磁控溅射镀膜生产设备。包括依次连接的前锁定室，前等待室，过渡室，金属膜工作室，含氩气进口和氧气进口的介质膜工作室，和各室相连的真空抽气机组，其特征是介质膜工作室至少为二个，每个介质膜工作室中至少有一个中频孪生反应磁控溅射装置，中频孪生反应磁控溅射装置包括分别与中频电源两极连接的装在安装架上的双磁控靶，控制进入介质膜工作室氧气量的等离子体发射谱强度监测器闭环平衡控制装置。本设备确保了工艺的稳定性，提高了沉积效率，生产出高质量的高反射镜。 | ||
| 搜索关键词： | 反射 连续 磁控溅射 镀膜 生产 设备 | ||
【主权项】：
1、高反射镜连续磁控溅射镀膜生产设备，包括依次连接的前锁定室，前等待室，过渡室，金属膜工作室，含氩气进口和氧气进口的介质膜工作室，和各室相连的真空抽气机组，其特征在于介质膜工作室至少为二个，每个介质膜工作室中至少有一个中频孪生反应磁控溅射装置，中频孪生反应磁控溅射装置包括分别与中频电源两极连接的装在安装架上的双磁控靶，控制进入介质膜工作室氧气量的等离子体发射谱强度监测器闭环平衡控制装置。
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