[实用新型]绝缘层上覆硅单晶芯片结构无效
| 申请号： | 03244621.7 | 申请日： | 2003-04-04 |
| 公开（公告）号： | CN2613883Y | 公开（公告）日： | 2004-04-28 |
| 发明（设计）人： | 钱家錡;黄宏达 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/84 | 分类号： | H01L21/84;H01L27/12 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 潘培坤;楼仙英 |
| 地址： | 台湾省*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种绝缘层上覆硅单晶芯片结构，包含有：一单晶组件层(active device layer)用来布局至少一SOI组件，一埋入氧化层(buried oxide layer)位于该单晶组件层的下方，一金属层位于该埋入氧化层的下方，以及一硅基材(silicon substrate)接地层(ground layer)位于该金属层的下方；埋入氧化层的至少一第一预定位置处设置有至少一第一孔洞，而在至少一第二预定位置处设置有至少一第二孔洞，第一孔洞与第二孔洞分别贯穿或不贯穿埋入氧化层，且部分金属层填入第一孔洞与第二孔洞之中，使得SOI组件能经由金属层电热至硅基材接地层；本实用新型的SOI单晶芯片结构的S0I组件具有更优越的接地的接触电阻和散热功能。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 层上覆硅单晶 芯片 结构 | ||
【主权项】：
1、一种绝缘层上覆硅单晶芯片结构，包含有：一单晶组件层，设有至少一绝缘层上覆硅组件；一埋入氧化层，位于该单晶组件层的下方；其特征在于，该芯片结构还包含：一金属层，位于该埋入氧化层的下方及上述孔洞内；以及一硅基材接地层，位于该金属层的下方；该埋入氧化层的下表面的至少一预定位置处开设至少一孔洞；
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
