[实用新型]一种可制备大功率发光二极管的半导体芯片无效
| 申请号： | 03247547.0 | 申请日： | 2003-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN2674652Y | 公开（公告）日： | 2005-01-26 |
| 发明（设计）人： | 于国安;严志军 | 申请（专利权）人： | 方大集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L27/15 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚 |
| 地址： | 518055广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种可制备大功率发光二极管的半导体芯片，包括n极区域、p极区域，以及n极区域与p极区域之间的电子－空穴复合区域，其特征在于，还包括多条开在n极区域与p极区域之间且贯穿或部分地深入到电子－空穴区域的用于散热和出光的开口。这种半导体芯片可用于大功率发光二极管芯片和其它半导体器件的制备，即不限于在LED领域的应用，还可用作IC上的大功率芯片、激光二极管(LD)、紫外探测器、各种其它晶体管器件等。由于开口的设置，有效克服了由于芯片尺寸大带来的发热大、出光率低并且散热效果不佳的问题，从而使生产出的半导体器件(例如LED)的性能更加稳定，发光亮度更高。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大功率 发光二极管 半导体 芯片 | ||
【主权项】：
1、一种可制备大功率发光二极管的半导体芯片，包括n极区域、p极区域，以及n极区域与p极区域之间的电子-空穴复合区域，其特征在于，还包括多条开在n极区域与p极区域之间且贯穿或部分地深入到电子-空穴区域的用于散热和出光的开口。
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