[实用新型]电光学装置和电子设备无效
申请号: | 03267148.2 | 申请日: | 2003-07-11 |
公开(公告)号: | CN2702338Y | 公开(公告)日: | 2005-05-25 |
发明(设计)人: | 河田英德 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | G02F1/136 | 分类号: | G02F1/136;G02F1/1343;H01L21/3205;H01L29/786 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种电光学装置,在TFT阵列基板上具备像素电极、与其连接的TFT、以及与其连接的扫描线和数据线。而且,具备具有作为存储电容的像素电位侧电容电极功能的中继层、以及包含通过电介质膜与其相对配置的固定电位侧电容电极的电容线。如覆盖电容线的切口部那样,连接中继层和像素电极的多层中继层,从与数据线相同的多层膜设置。该多层膜上侧的膜由与下侧的膜相比难以被像素电极的ITO电蚀的材料构成。 | ||
搜索关键词: | 光学 装置 电子设备 | ||
【主权项】:
1.一种电光学装置,其特征在于,具备:设置于基板上的像素电极;对该像素电极进行开关控制的薄膜晶体管;配置于所述薄膜晶体管的上层一侧,用于通过所述薄膜晶体管将图像信号供给所述像素电极的数据线;配置于所述薄膜晶体管的上层一侧,连接在所述薄膜晶体管和所述像素电极之间的存储电容的像素电位侧电容电极;以及包含在该像素电位侧电容电极的上层一侧通过电介质膜与其相对配置、同时与用于连接所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间的连接区域相对应设置有切口部的固定电位侧电容电极的电容线;其中,所述像素电位侧电容电极由导电性的第1透明膜构成;所述电容线由导电性的第1遮光膜构成;所述数据线由导电性的第2遮光膜构成;所述像素电极由导电性的第2透明膜构成;在所述连接区域中,还具备多层中继层,该多层中继层对所述像素电位侧电容电极和所述像素电极间进行中继连接,同时具有包含由所述第2遮光膜构成的第1层和层积于该第1层的上层一侧并且与所述第2遮光膜相比对所述第2透明膜的化学稳定性高的导电性的第2层的层积结构,平面地看具有覆盖所述切口部的平面形状。
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