[实用新型]改善薄氧化层均一性的炉管装置无效
| 申请号： | 03270634.0 | 申请日： | 2003-08-12 |
| 公开（公告）号： | CN2663439Y | 公开（公告）日： | 2004-12-15 |
| 发明（设计）人： | 陈步芳;吕超波;庄熙升;陈怡仁;陈进财;塚田和德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B31/06 | 分类号： | C30B31/06 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王占梅 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种改善薄氧化层均一性的炉管装置，包括：反应腔体，提供氧化反应的空间，以形成薄氧化层于半导体硅晶圆上；第一导管，连接该反应腔体，以提供水气或反应气体进入该反应腔体；第一氮气导管，连接该第一导管以供应一吹净用氮气(purge N2)进入该反应腔体；旁通导管，连接该第一氮气导管与该排放导管，以提供至该排放导管毋需经过该反应腔体的旁绕(bypass)路径；第二导管，连接该反应腔体并与该第一导管连接于一共通接点，以提供水气或反应气体进入该反应腔体；第二氮气导管，连接该第二导管以提供一吹净用氮气(purgeN2)，并可配合该旁通导管作用而产生一回拉(pullback)效应，以去除上述管线内的残留物；以及一排放导管，连接该反应腔体侧底，以排出该反应腔体内的气体。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 氧化 均一 炉管 装置 | ||
【主权项】：
1、一种改善薄氧化层均一性的炉管装置，包括：一反应腔体，为提供一氧化反应的空间，以形成一薄氧化层于半导体硅晶圆上；一第一导管，连接该反应腔体，以提供水气或反应气体进入该反应腔体；一第一氮气导管，连接该第一导管以供应一吹净用氮气进入该反应腔体；一第二导管，连接该反应腔体并与该第一导管连接于一共通接点，以提供水气或反应气体进入该反应腔体；以及一排放导管，连接该反应腔体侧底，以排出该反应腔体内的气体；其特征是：一旁通导管，连接该第一氮气导管与该排放导管，以提供至该排放导管毋需经过该反应腔体的旁绕路径；一第二氮气导管，连接该第二导管以提供一吹净用氮气，并可配合该旁通导管作用而产生一回拉效应，以去除上述管线内的残留物。
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