[实用新型]旋转式磁控溅射靶无效
| 申请号： | 03274500.1 | 申请日： | 2003-09-11 |
| 公开（公告）号： | CN2656432Y | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 许生;许沭华 | 申请（专利权）人： | 深圳豪威真空光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35 |
| 代理公司： | 深圳市创友专利代理有限公司 | 代理人： | 彭家恩 |
| 地址： | 518000广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型提出了一种用于大面积薄膜沉积的旋转式磁控溅射靶，包括永磁体1、靶材4和旋转机构12，所述旋转机构12传动靶材4绕永磁体1旋转，从而提高了靶的利用率，避免靶面起弧的现象，保证溅射过程的稳定性和沉积薄膜的质量，同时使用旋转式双柱状磁控溅射孪生靶，对沉积化合物薄膜采用中频放电形式，更增加了溅射过程的稳定性和沉积薄膜的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 旋转 磁控溅射 | ||
【主权项】：
1.一种旋转式磁控溅射靶，包括永磁体(1)、靶材(4)，其特征在于：还包括旋转机构(12)，所述旋转机构(12)传动所述靶材(4)绕永磁体(1)旋转。
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