[实用新型]一种改进的抗浪涌保护器件无效
申请号: | 03278784.7 | 申请日: | 2003-09-24 |
公开(公告)号: | CN2646926Y | 公开(公告)日: | 2004-10-06 |
发明(设计)人: | 陈俊标;王权 | 申请(专利权)人: | 江苏东光微电子股份有限公司 |
主分类号: | H02H9/04 | 分类号: | H02H9/04 |
代理公司: | 宜兴市天宇专利事务所 | 代理人: | 史建群;李妙英 |
地址: | 214205江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及一种过电压保护用半导体抗浪涌器件,尤其是能适应高频、宽带通讯的半导体抗浪涌器件,其特征是固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管。实用新型半导体抗浪涌器件,不仅较已有技术可以显著降低极间电容,使之适应高频、宽带通讯要求,也可以用于低频通讯,扩大了半导体抗浪涌器件使用范围,而且放电芯片原有抗浪涌电性能基本得到保持不变,有效避免了因降低极间电容,而导致电性能的下降,使保护功能减弱的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 一种 改进 浪涌保护器 | ||
【主权项】:
1、一种半导体抗浪涌器件,包括一片抗浪涌的固体放电芯片,其特征在于所说固体放电芯片一端或二端串接有反并联二极管。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏东光微电子股份有限公司,未经江苏东光微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03278784.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。