[外观设计]半导体制造用处理容器内壁保护体无效
| 申请号： | 03342339.3 | 申请日： | 2003-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN3342003D | 公开（公告）日： | 2003-12-24 |
| 发明（设计）人： | 宫野真一;石田茂雄 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | 15-99 | 分类号： | 15-99 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 1.左视图与右视图对称，故省略左视图。2.本外观设计产品主要是沿着半导体晶片的蚀刻装置的处理容器内壁来配置使用的。如使用状态剖面参考图所示，若在配置于该处理容器内的上部电极和下部电极的其中一个以上连接高频电源，则在这些电极间形成等离子体，通过安装该物品，可防止等离子体对处理容器内壁造成的损伤。该物品的材质是铝-氧化铝等。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 用处 容器 内壁 保护 | ||
【主权项】：
暂无信息
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