[外观设计]半导体制造用处理容器内壁保护体无效
| 申请号： | 03342352.0 | 申请日： | 2003-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN3348519D | 公开（公告）日： | 2004-01-21 |
| 发明（设计）人： | 高桥秀一;加藤幸司;滨元新二 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | 15-99 | 分类号： | 15-99 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国东*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本外观设计产品主要是沿着半导体晶片的蚀刻装置的处理容器的内壁来配置使用。如使用状态剖视参考图所示，若在配置于该处理容器内的上部电极和下部电极的其中一个以上连接高频电源，则在这些电极间形成等离子体，通过安装该物品，可防止等离子体对处理容器内壁造成的损伤。在主视图、后视图和右视图中，以十字形状排列表示的5个小的圆形部分是透孔。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 用处 容器 内壁 保护 | ||
【主权项】：
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