[发明专利]半导体存储器件及其制造方法有效
| 申请号： | 03800148.9 | 申请日： | 2003-02-14 |
| 公开（公告）号： | CN1498424A | 公开（公告）日： | 2004-05-19 |
| 发明（设计）人： | 小川久;中冈弘明;柁谷敦宏;桥本伸;江头恭子 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L21/8242;H01L27/10 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 张立岩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种以简易工序可实现希望电容的DRAM的半导体器件及其制造方法。在存储器区域设有存储单元晶体管和平板型电容器，在逻辑电路区域设有CMOS的各晶体管。平板型电容器的电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)遍及和浅沟渠分离(12a)共有的沟渠设置，用电容绝缘膜(15)及板形电极(16b)填于沟渠上部。为储存节点的n型扩散层(19)的端部沿着沟渠上部的侧面形成到和浅沟渠分离(12a)重叠的区域。不增加衬底面积而使起作用作为电容器的部分的面积增大。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，其特征为：具备：半导体衬底；凹部：形成于上述半导体衬底上；存储单元晶体管：具有设于上述半导体衬底上的栅极及栅极绝缘膜和设在上述半导体衬底内的上述栅极两侧的源极、漏极扩散层；及电容器：具有横跨上述半导体衬底上面和上述凹部的至少一部分且由和上述存储单元晶体管的栅极共同的导体膜形成的板形电极及设于上述板形电极下方的电容绝缘膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
