[发明专利]半导体晶片背面研磨方法无效
| 申请号： | 03800258.2 | 申请日： | 2003-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN1509495A | 公开（公告）日： | 2004-06-30 |
| 发明（设计）人： | 福田和哉;森俊 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪斯科 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吴立明;梁永 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种半导体晶片背面研磨方法，该方法通过研磨装置研磨半导体晶片背面，由此使半导体晶片达到预定厚度，该半导体晶片具有形成在其正面上的多个电路并具有接近半圆截面形状的外周边。在研磨半导体晶片背面之前采用了预处理，用于使该半导体晶片的外周边形成相对于该半导体晶片背面成θ角的平面，80度≤θ≤100度，优选为85度≤θ≤95度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 晶片 背面 研磨 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶片背面研磨方法，该方法通过研磨装置研磨半导体晶片背面，由此使半导体晶片达到预定厚度，该半导体晶片具有形成在其正面上的多个电路并具有接近半圆截面形状的外周边，其特征在于：在研磨半导体晶片背面之前采用预处理，用于使该半导体晶片的外周边形成相对于该半导体晶片背面成θ角的平表面，使得80度≤θ≤100度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
