[发明专利]强电介体薄膜的制造方法有效
| 申请号： | 03800301.5 | 申请日： | 2003-03-27 |
| 公开（公告）号： | CN1511340A | 公开（公告）日： | 2004-07-07 |
| 发明（设计）人： | 黑川贤一;名取荣治 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/316 | 分类号： | H01L21/316;H01L27/105;H01L41/09;H01L41/24 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 李香兰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种强电介体薄膜的制造方法。由两种以上的原料溶液构成的强电介体薄膜在基板的某一平面内在膜厚方向中使之均匀地混合。或者在一平面内在膜厚方向中使之具有原料溶液分布地混合。由具有两个以上的喷墨头的喷墨装置将两种原料溶液(105、106)由各自的喷墨头以一定的喷出量喷出，因此可以制作在一平面内均匀混合的强电介体薄膜，通过反复进行这个作业，在薄膜的膜厚方向也可以制作均匀混合的强电介体薄膜。而且，通过改变膜厚方向或面内方向的喷出量，可以制作具有原料溶液分布混合的强电介体薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 强电介体 薄膜 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种强电介体薄膜的制作方法，其特征在于：在包含由上部电极/强电介体薄膜/下部电极形成的强电介体电容的强电介体器件中，由具有两个以上的喷墨头的装置将两种以上的原料溶液分别由各自的所述喷墨头以喷墨方式进行喷涂而形成所述强电介体薄膜。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于精工爱普生株式会社，未经精工爱普生株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03800301.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体处理用紫外线辅助处理装置
- 下一篇：填胶组合物
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
