[发明专利]半导体或液晶制造装置无效
申请号: | 03800369.4 | 申请日: | 2003-03-03 |
公开(公告)号: | CN1514888A | 公开(公告)日: | 2004-07-21 |
发明(设计)人: | 柊平启;夏原益宏;仲田博彦 | 申请(专利权)人: | 住友电气工业株式会社 |
主分类号: | C23C16/458 | 分类号: | C23C16/458;H01L21/02;H01L21/205;H01L21/3065 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 李香兰 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种制造半导体或液晶的装置,其在反应容器9中备有,其内部埋设有阻抗发热体3的陶瓷保持体1、一端2a支持陶瓷保持体1而另一端2b被固定在反应容器9上的筒状支持部件2;筒状支持部件2的一端2a与陶瓷保持体1之间气密性结合,同时另一端2b侧在内部被隔板6和密封材料7气密密封。这种半导体或液晶制造装置,优选使筒状保持体2内的被陶瓷保持体1和隔板6划分的空间形成真空或惰性气体减压气氛下。在具有上记结构的半导体或液晶制造装置中,筒状支持部件容易进行气密密封,能够防止在陶瓷保持体的背面露出的电极端子4被腐蚀和氧化,而且在提高保持体均热性的同时还能提高热效率。 | ||
搜索关键词: | 半导体 液晶 制造 装置 | ||
【主权项】:
1.一种半导体或液晶制造装置,其在被供给反应气体的反应容器内,备有:将被处理物保持在表面上同时靠埋设在内部的阻抗发热体进行加热的陶瓷保持体;一端支持陶瓷保持体的被处理物保持表面以外,另一端被固定在反应容器一部分上的筒状支持部件,其特征在于将筒状支持部件的一端与陶瓷保持体气密结合,同时将筒状支持部件的另一端侧在内部气密密封,使筒状支持部件内的被陶瓷保持体与所述筒状支持部件另一端侧密封部所隔开的空间处于真空或者惰性气体的减压气氛下。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的