[发明专利]形成用于衬底的凸起触点的方法有效
| 申请号： | 03800474.7 | 申请日： | 2003-06-13 |
| 公开（公告）号： | CN1547769A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 保罗·费希尔;詹姆斯·博德曼;安妮·米利埃 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/485;H01L25/065 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 肖善强;吴湘文 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明包括一种方法，该方法包括如下步骤：提供一个第一衬底；形成一个覆盖第一衬底的绝缘体；在绝缘体中形成一个开口；在开口中以及绝缘体上形成一个导体；用第一化学机械抛光工艺除掉绝缘体上的导体，以便留下在开口中的导体；以及用第二化学机械抛光工艺减小绝缘体的厚度，以使在开口中的导体凸出。本发明还包括具有这种凸出导体的结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 衬底 凸起 触点 方法 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：提供第一衬底；在所述第一衬底之上形成绝缘体；在所述绝缘体中形成开口；在所述绝缘体之上以及所述开口中形成导体；用第一化学机械抛光工艺除掉在所述绝缘体之上的所述导体，以便留下在所述开口中的所述导体；以及用第二化学机械抛光工艺减小所述绝缘体的厚度，以使在所述开口中的所述导体凸出。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/03800474.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
