[发明专利]到栅极的自对准接触有效
| 申请号： | 03800505.0 | 申请日： | 2003-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN1541411A | 公开（公告）日： | 2004-10-27 |
| 发明（设计）人： | 马克·博尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明描述了涉及使用分开的掩模在有源区上形成多晶硅栅极接触孔以提供对电介质去除的足够控制，来产生至少深至栅极层但未深至结层的接触孔的方法、装置和系统。实施例包括通过定时接触刻蚀、通过两层电介质、通过加入电介质刻蚀停止层以及通过部分地将栅极层上的电介质或刻蚀停止层平面化来实现的自对准多晶硅接触。从而，即使失准，栅极接触孔的深度也足以到达有源区栅极，但不足以到达结区。结果，通过使用分开的掩模以及通过选择刻蚀到有源栅极的一段时间，可以在IC、半导体、MOS存储器单元、SRAM、闪存和其它各种存储器单元的制造期间形成栅极接触孔。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 对准 接触 | ||
【主权项】：
1.一种方法，包括：形成有源区；在所述有源区内形成栅控器件；以及在所述有源区中形成到所述栅控器件的栅极的接触。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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