[发明专利]三栅极器件及其加工方法有效
| 申请号： | 03800511.5 | 申请日： | 2003-08-22 |
| 公开（公告）号： | CN1518771A | 公开（公告）日： | 2004-08-04 |
| 发明（设计）人： | 罗伯特·周;布赖恩·多伊尔;杰克·卡瓦列罗斯;道格拉斯·巴拉格;达塔·休曼 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京东方亿思专利代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种半导体器件，包括形成在衬底上的半导体主体，其具有顶表面和横向相对的侧壁。在半导体主体的顶表面上以及半导体主体的横向相对的侧壁上形成栅极电介质层。在半导体主体的顶表面上的栅极电介质上以及与半导体主体的横向相对的侧壁上的栅极电介质的相邻处形成栅极电极。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 器件 及其 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体主体，形成在衬底膜上，具有顶表面和横向相对的侧壁；栅极电介质，形成在所述硅主体的所述顶表面上，以及所述硅主体的所述横向相对的侧壁上；以及栅极电极，形成在所述半导体主体的所述顶表面上的所述栅极电介质上，以及与所述硅主体的所述横向相对的侧壁上的所述栅极电介质相邻处。
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