[发明专利]用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法

摘要

一起使用ELO掩膜和缺陷种子掩膜的方法生长很少有位错的GaN晶体。ELO掩膜使得GaN晶体不能直接生长，但是能横向生长；缺陷种子掩膜使得缺陷集中的封闭缺陷聚集区域生长。材料SiN、SiON或SiO₂中任一种用于ELO掩膜，同时Pt、Ni或Ti材料中任一种用于缺陷种子掩膜。蓝宝石、GaAs、尖晶石、Si、InP、SiC等单晶基片或其中在这些的单晶基片上涂覆GaN缓冲层的下层基片，补充地提供ELO掩膜和缺陷种子掩膜以及GaN被气相沉积。

主权项

1.一种氮化镓沉积基片，其特征在于它如下制成：作为蓝宝石、GaAs、InP、Si、SiC、尖晶石或GaN中任一种的单晶的下层基片，或其中GaN缓冲层形成到这些的单晶基片上的下层基片；由Ti、Pt或Ni中任一种制成的缺陷种子掩膜X，其规则地排列在下层基片上，没有窗口，仅为覆盖片，用作产生封闭缺陷聚集区域H的种子；和由SiON、SiO2或SiN中任一种制成的ELO掩膜，具有覆盖部分和许多以小周期规则排列的窗口，和缺陷种子掩膜规则地和补充地配置在下层基片顶部。