[发明专利]半导体装置及其制造方法、电路基板以及电子仪器有效
申请号: | 03800707.X | 申请日: | 2003-03-19 |
公开(公告)号: | CN1533604A | 公开(公告)日: | 2004-09-29 |
发明(设计)人: | 宫泽郁也 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L25/065;H01L27/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 张天安;郑建晖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 在形成了集成电路(12)的半导体基板(10)上从第一面形成凹部(22)。在凹部(22)的内表面上设置绝缘层(28)。在绝缘层(28)的内侧设置第一导电部(30)。在绝缘层(28)的内侧、第一导电部(30)上由与第一导电部(30)不同的材料形成第二导电部(32)。使第一导电部(30)从半导体基板(10)上与第一面(20)相反一侧的第二面(38)露出。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 及其 制造 方法 路基 以及 电子仪器 | ||
【主权项】:
1.一种半导体装置的制造方法,包括下述工序:(a)在形成了集成电路的半导体基板上从第一面形成凹部,(b)在上述凹部的内表面上设置绝缘层,(c)在上述绝缘层的内侧设置第一导电部,(d)在上述绝缘层的内侧、上述第一导电部上,由与上述第一导电部不同的材料形成第二导电部,(e)使上述第一导电部从上述半导体基板上与上述第一面相反一侧的第二面露出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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