[发明专利]抛光方法及研磨液无效
申请号: | 03800709.6 | 申请日: | 2003-02-20 |
公开(公告)号: | CN1533595A | 公开(公告)日: | 2004-09-29 |
发明(设计)人: | 和田雄高;赤朝彦;佐佐木达也;萩原敏也 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所;花王株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C09K3/14 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明涉及利用固定磨粒研磨半导体晶片等研磨对象物的抛光方法及研磨液。本发明的抛光方法,将研磨对象物压紧到固定磨粒上,边使之滑动边进行研磨,其特征在于,边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液,边研磨上述研磨对象物。 | ||
搜索关键词: | 抛光 方法 研磨 | ||
【主权项】:
1、一种抛光方法,将研磨对象物压紧到固定磨粒上,边使之滑动边进行研磨,其特征在于,边供应含有阴离子系界面活性剂且不含磨粒的研磨液,边研磨上述研磨对象物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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