[发明专利]电化学氧化有效
申请号: | 03800758.4 | 申请日: | 2003-05-14 |
公开(公告)号: | CN1537326A | 公开(公告)日: | 2004-10-13 |
发明(设计)人: | 渡部祥文;相泽浩一;菰田卓哉;幡井崇;本多由明 | 申请(专利权)人: | 松下电工株式会社 |
主分类号: | H01L21/316 | 分类号: | H01L21/316;C25D11/32;//H01J1/312;H01J9/02 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 严舫 |
地址: | 日本国大阪府*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 公开了用于半导体层的电化学氧化的方法。在用于作为电子器件之一的电子源10(场致发射类型电子源)的生产过程中的电化学氧化处理过程中,基于来自电阻检测部分35的检测电压,控制部分37预先测定由于电解溶液B的电阻导致的电压增量。然后,控制部分37控制电源以供应恒电流,以便引发对于在物体30上形成的半导体层的氧化处理。控制部分37通过从中减去电压增量来校正来自电压检测部分36的检测电压。当校正电压达到给定的上限电压值时,可以操作控制部分37来中断电源32的输出和终止氧化处理。本发明使得可以生产在其特性方面具有减小的变化的电子器件。 | ||
搜索关键词: | 电化学 氧化 | ||
【主权项】:
1.一种对半导体层进行电化学氧化的方法,其中将装备在所述半导体层的将被电化学氧化的主面的反面上的电极用作阳极,在所述阳极和阴极之间供应电流,同时允许所述半导体层和所述阴极与电解溶液接触,以氧化所述半导体层,所述方法包含:在所述阳极和所述阴极之间供应电流以引发所述氧化;和在校正电压值Vt与预定的上限电压值V1相等的条件下终止所述氧化,所述校正电压值Vt是通过按照基于预先检测的所述电解溶液电阻的电压增量V0来校正所述阳极和所述阴极之间的电压V而测定的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于松下电工株式会社,未经松下电工株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03800758.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造