[发明专利]抛光方法有效
申请号: | 03800759.2 | 申请日: | 2003-04-17 |
公开(公告)号: | CN1541151A | 公开(公告)日: | 2004-10-27 |
发明(设计)人: | 户川哲二;福岛诚;樱井邦彦;吉田博;锅谷治;市村照彦 | 申请(专利权)人: | 株式会社荏原制作所 |
主分类号: | B24B37/04 | 分类号: | B24B37/04;H01L21/304 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 胡建新 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的抛光方法,用顶部圆环(23)来保持半导体晶片(W),把该半导体晶片(W)按压到研磨面(10)上进行研磨的抛光方法,其特征在于:把弹性膜(60)安装到能够上下活动的上下活动部件(62)的下面上,在上述顶部圆环(23)内形成压力室(70),把加压流体供给到上述压力室(70)内,利用上述流体的流体压力把半导体晶片W按压到上述研磨面(10)上进行研磨,从上述上下活动部件(62)的中央部上所形成的开口(62a)中喷射出加压流体,这样使研磨后的半导体晶片W从上述顶部圆环(23)上脱离。 | ||
搜索关键词: | 抛光 方法 | ||
【主权项】:
1、一种抛光方法,用顶部圆环来保持研磨对象物,把该研磨对象物按压到研磨面上进行研磨,其特征在于:通过把弹性膜安装到能够上下活动的上下活动部件的下面上,在上述顶部圆环内形成压力室,通过把加压流体供给到上述压力室内,利用上述流体的流体压力把上述研磨对象物按压到上述研磨面上进行研磨,从上述上下活动部件的中央部上所形成的开口中喷射出加压流体,这样使研磨后的研磨对象物从上述顶部圆环上脱离。
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