[发明专利]半导体存储装置及其制造方法有效
| 申请号： | 03800841.6 | 申请日： | 2003-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN1613153A | 公开（公告）日： | 2005-05-04 |
| 发明（设计）人： | 荒井雅利 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L29/792;H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在半导体衬底的表面区域上形成成为位线的多个杂质扩散层，在半导体衬底的多个杂质扩散层上侧形成多个埋入绝缘膜。存储器元件的栅极在埋入绝缘膜之间经捕获膜形成，具有和埋入绝缘膜的高度位置大致相等的高度位置的多个第一多晶硅膜，和在多个埋入绝缘膜和多个第一多晶硅膜上施加形成、将多个第一多晶硅膜之间电连接起来的第二多晶硅膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储装置，其特征在于包括：在半导体衬底的表面区域中彼此分开地形成的一对杂质扩散层；在上述半导体衬底上的上述一对杂质扩散层彼此之间的区域中形成的捕获膜；在上述捕获膜上形成的栅极；以及在上述一对杂质扩散层上夹住上述栅极形成的一对绝缘膜。
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