[发明专利]用于混合信号RF应用和电路的集成电路结构无效
| 申请号： | 03800917.X | 申请日： | 2003-05-21 |
| 公开（公告）号： | CN1547775A | 公开（公告）日： | 2004-11-17 |
| 发明（设计）人： | 黄文伶;詹姆斯·基希格斯纳;戴维·J·蒙克 | 申请（专利权）人： | 自由度半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/8258;H01L23/66 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种在单片IC上支持数字电路(4)、模拟电路(6)和RF电路(8)的集成电路(12)。数字CMOS电路位于低电阻率层(16)上，该低电阻率层提供良好的闩锁质量并允许密集的PAD I/O。模拟CMOS电路位于高阻层(14)上被隔离的阱区(20)上，以最小化经由衬底的信号串扰。模拟BJT器件也位于其自身的阱结构(20)内的高阻区(14)上，以最小化寄生电容并提供高频器件开关。RF无源元件，如电感器和电容位于高阻区(14)上，以最小化尤其在高频下发生的信号损失。RF有源部件位于高阻区上，以最大化器件性能。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 混合 信号 rf 应用 电路 集成电路 结构 | ||
【主权项】：
1.一种集成电路，包括：高阻衬底；在所述高阻衬底上形成的布图的低电阻率埋层；在所述布图的低电阻率埋层上形成的数字电路；在所述高阻衬底上形成的模拟电路；在所述高阻衬底上形成的无源RF器件；以及围绕所述数字电路的阱区。
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- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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