[发明专利]蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法无效
| 申请号： | 03800972.2 | 申请日： | 2003-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN1592956A | 公开（公告）日： | 2005-03-09 |
| 发明（设计）人： | 藤井真治 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C23F1/30 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 汪惠民 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明为了能够通过湿蚀刻确实地除去包含金属及硅的化合物，例如含有金属铪的硅酸盐(101a)，在将硅酸盐(101a)氧化后，对被氧化的硅酸盐(101a)进行湿蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 蚀刻 方法 装置 以及 半导体器件 制造 | ||
【主权项】：
1、一种蚀刻方法，其特征在于：包括氧化至少包含金属及硅的化合物的第1工序、及通过湿蚀刻除去被氧化的前述化合物的第2工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
