[发明专利]核心不含羟基基团的光纤预制体的制作方法无效
申请号: | 03800975.7 | 申请日: | 2003-06-26 |
公开(公告)号: | CN1551857A | 公开(公告)日: | 2004-12-01 |
发明(设计)人: | 李赞柱;朴来赫;金在先;孙淳一 | 申请(专利权)人: | LG电线有限公司 |
主分类号: | C03B37/018 | 分类号: | C03B37/018 |
代理公司: | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人: | 高龙鑫;杨淑媛 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 核心基本上不含羟基基团的光纤预制体的制作方法,包括:将粉尘(SiO2和GeO2)沉积到石英管的内表面从而形成折射率相对较低的包覆层;在包覆层上形成具有相对较高折射率的核心层,其中核心层的形成步骤包括:(a)基础核心层形成步骤,该步骤通过对石英管进行加热使得石英管中的温度达到1000℃~1400℃并在石英管中引入反应气体(SiCl4和GeCl4),然后在包覆层上堆积粉尘而产生粉尘;通过加热石英管使石英管内的温度达到600℃~1200℃,同时将脱水气体(He,Cl2;O2)引入石英管中以从粉尘和管中除去羟基基团(OH)和水蒸气;通过加热石英管使石英管内温度超过1700℃并引入脱水气体(He,Cl2;O2)以烧结粉尘并使之玻璃化;以及(b)补充核心层的形成步骤,通过至少重复一次(a)中的堆积/脱水/烧结步骤从而形成至少一层补充的核心层。 | ||
搜索关键词: | 核心 羟基 基团 光纤 预制 制作方法 | ||
【主权项】:
1.利用MCVD法(改进的化学气相沉积法)制作核心层基本不含羟基基团(OH)的光纤预制体的方法,该方法包括下述步骤:(1)通过在石英管内表面沉积含有SiO2和GeO2的粉尘,形成具有相对较低折射率的包覆层;以及(2)在包覆层上形成具有相对较高折射率的核心层,其中核心层的形成步骤包括:(a)基础核心层形成步骤,该步骤包括堆积步骤:对石英管进行加热使得石英管中的温度达到1000℃~1400℃,同时引入用于形成粉尘的反应气体和载体气体,然后在包覆层上堆积粉尘,从而产生粉尘;脱水步骤:加热石英管使石英管的温度达到600℃~1200℃,并将脱水气体引入石英管中,从而除去粉尘和管中所含的羟基(OH)和水蒸气;以及烧结步骤:加热粉尘沉积的石英管使石英管内的温度超过1700℃,从而烧结粉尘并使之玻璃化;以及(b)补充核心层形成步骤:通过至少重复一次(a)中的堆积步骤、脱水步骤以及烧结步骤从而形成至少一层补充的核心层。
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