[发明专利]核心不含羟基基团的光纤预制体的制作方法无效

专利信息
申请号: 03800975.7 申请日: 2003-06-26
公开(公告)号: CN1551857A 公开(公告)日: 2004-12-01
发明(设计)人: 李赞柱;朴来赫;金在先;孙淳一 申请(专利权)人: LG电线有限公司
主分类号: C03B37/018 分类号: C03B37/018
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 高龙鑫;杨淑媛
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 核心基本上不含羟基基团的光纤预制体的制作方法,包括:将粉尘(SiO2和GeO2)沉积到石英管的内表面从而形成折射率相对较低的包覆层;在包覆层上形成具有相对较高折射率的核心层,其中核心层的形成步骤包括:(a)基础核心层形成步骤,该步骤通过对石英管进行加热使得石英管中的温度达到1000℃~1400℃并在石英管中引入反应气体(SiCl4和GeCl4),然后在包覆层上堆积粉尘而产生粉尘;通过加热石英管使石英管内的温度达到600℃~1200℃,同时将脱水气体(He,Cl2;O2)引入石英管中以从粉尘和管中除去羟基基团(OH)和水蒸气;通过加热石英管使石英管内温度超过1700℃并引入脱水气体(He,Cl2;O2)以烧结粉尘并使之玻璃化;以及(b)补充核心层的形成步骤,通过至少重复一次(a)中的堆积/脱水/烧结步骤从而形成至少一层补充的核心层。
搜索关键词: 核心 羟基 基团 光纤 预制 制作方法
【主权项】:
1.利用MCVD法(改进的化学气相沉积法)制作核心层基本不含羟基基团(OH)的光纤预制体的方法,该方法包括下述步骤:(1)通过在石英管内表面沉积含有SiO2和GeO2的粉尘,形成具有相对较低折射率的包覆层;以及(2)在包覆层上形成具有相对较高折射率的核心层,其中核心层的形成步骤包括:(a)基础核心层形成步骤,该步骤包括堆积步骤:对石英管进行加热使得石英管中的温度达到1000℃~1400℃,同时引入用于形成粉尘的反应气体和载体气体,然后在包覆层上堆积粉尘,从而产生粉尘;脱水步骤:加热石英管使石英管的温度达到600℃~1200℃,并将脱水气体引入石英管中,从而除去粉尘和管中所含的羟基(OH)和水蒸气;以及烧结步骤:加热粉尘沉积的石英管使石英管内的温度超过1700℃,从而烧结粉尘并使之玻璃化;以及(b)补充核心层形成步骤:通过至少重复一次(a)中的堆积步骤、脱水步骤以及烧结步骤从而形成至少一层补充的核心层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG电线有限公司,未经LG电线有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/03800975.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top