[发明专利]在高密度只读记录介质上形成的链接区域的结构及其制造/再现方法和设备有效
申请号: | 03800997.8 | 申请日: | 2003-06-04 |
公开(公告)号: | CN1554091A | 公开(公告)日: | 2004-12-08 |
发明(设计)人: | 金进镛;徐相运 | 申请(专利权)人: | LG电子株式会社 |
主分类号: | G11B20/12 | 分类号: | G11B20/12 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 樊卫民;袁炳泽 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | 本发明涉及在高密度只读记录介质上的数据部分之间形成的链接区域的结构,以便保证和可重写记录介质的再现可兼容性。本发明的链接区域的结构由两个各自包括同步信号的链接帧组成。这个同步信号和写在数据记录区域中和/或用于高密度可重写记录介质的其它同步信号不同。另外,该链接区域包括以在它的空间中的物理地址加密的数据。 | ||
搜索关键词: | 高密度 只读 记录 介质 形成 链接 区域 结构 及其 制造 再现 方法 设备 | ||
【主权项】:
1.一种记录有数据的只读记录介质,其包括链接区域以链接在链接区域之前和之后的相邻的两个数据部分,其中将至少一个指示链接区域的同步信号写在链接区域中。
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